一，核心参数与特性
该器件为高低侧独立输出架构，VS 节点耐压 650V、VB 节点 675V，VS 负瞬态耐受约 100V、稳态可至 - 11V（VCC=15V），无寄生晶闸管结构，抗闩锁与噪声免疫能力强，能稳定工作于高压半桥拓扑。供电方面，VCC 工作范围 10–20V，极限值 25V，适配工业标准栅极驱动电源；峰值拉电流约 + 290mA、灌电流约 - 700mA，关断能力更强，可有效抑制栅极振荡与开关损耗。时序与保护上，内置 540ns 死区并支持外阻编程至 2.7μs，实现互锁防桥臂直通；配备施密特输入、独立高低侧 UVLO，输入耐 - 5V 负电压，兼容 3.3V/5V/15V 逻辑电平，可靠性高。开关时序典型值为开通延迟 740ns、关断延迟 200ns，上升时间约 100ns、下降时间约 35ns，匹配性好，噪声免疫优异。封装为 SMT 兼容的 PG‑DSO‑8，工作温度范围 - 40~125℃，满足工业高温应用需求。
二，适用场景
该驱动器广泛用于 600V/650V 母线的半桥拓扑电力电子设备。在电机驱动领域，适合 BLDC/PMSM 半桥逆变器、伺服驱动器等；在电源变换领域，可用于图腾柱 PFC、UPS、焊机、LED 驱动、储能变流器及充电桩辅助电源等；同时也适用于高频开关电源等对尺寸、抗扰与高温有严格要求的工业与新能源场景。
三，选型与使用要点
选型上，可直接替代 IRS21091 等传统驱动器，SOI 工艺带来更优的稳健性与更高的开关频率；若需更高耐压或驱动电流，可升级至 2ED21xx 系列更高规格型号。使用时，自举电容需按占空比与开关频率选型，通常选用 100nF~1μF、X7R/X5R 材质、耐压≥25V 的电容，确保低侧导通时间足够充电，避免自举欠压；死区电阻需根据功率管特性与开关频率设定，防止桥臂直通；PCB 布局应严格分区功率地与逻辑地，减小功率环路面积，提升 EMC 性能。大电流与高频工况下，需为 SOIC‑8 封装铺铜并增加散热焊盘，避免结温超限。
