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2EDL8123G3CXTMA1 双通道半桥驱动:集成高侧(High‑Side)与低侧(Low‑Side)两路驱动,支持 120V 母线电压,内置自举二极管,简化外围电路。

发布时间2026-5-29 11:58:00关键词:2EDL8123G3CXTMA1
摘要

2EDL8123G3CXTMA1是英飞凌(Infineon)eiceDriver™系列的120V 结隔离(JI)半桥栅极驱动芯片,采用 PG‑VSON‑10(3×3mm,带散热焊盘)封装,专为驱动 MOSFET/IGBT 设计,适用于工业电源、电机驱动、UPS 及高频变换器等场景。

2EDL8123G3CXTMA1

一,核心功能与特点

双通道半桥驱动:集成高侧(High‑Side)与低侧(Low‑Side)两路驱动,支持 120V 母线电压,内置自举二极管,简化外围电路。

强驱动能力:源极(Source)电流 3A;灌极(Sink)电流高侧 5A、低侧 6A,可驱动大功率 MOSFET/IGBT。

差分输入与保护:差分输入抗干扰强,自带直通保护(Shoot‑Through Protection),防止上下管同时导通;输入引脚支持‑8V~+15V 共模电压,鲁棒性高。

快速开关与低延迟:典型传播延迟 45ns,通道间延迟匹配≤6ns,支持最高 1MHz 开关频率。

宽压供电与保护:VCC 工作电压 8V~17V,带欠压锁定(UVLO),确保低电压下可靠关断;工作温度‑40℃~+125℃,满足工业级应用。

小型化封装:PG‑VSON‑10(3×3mm),带裸露散热焊盘,散热好、PCB 占位小,适合高密度布局。

二,主要应用

工业开关电源(SMPS)

电机驱动器(BLDC、PMSM)

UPS 与电池管理系统

高频 DC/DC 变换器

太阳能逆变器与储能变流器

三,关键参数一览

品牌:Infineon(英飞凌)

系列:eiceDriver™ 2EDL8x2x

封装:PG‑VSON‑10(3×3mm,EP)

通道:半桥(高侧 + 低侧)

驱动电流:Source 3A;Sink 5A(高侧)/6A(低侧)

耐压:120V(自举)

电源:8V~17V

延迟:典型 45ns,匹配≤6ns

温度:‑40℃~+125℃

特性:内置自举二极管、差分输入、直通保护、UVLO