产品概述
2EDN7424RXTMA1 为双路非隔离栅极驱动器，适配中高频开关电源与功率级，兼容 Si MOSFET 与部分增强型 GaN。器件提供对称源/灌电流、低传播延时与良好的通道匹配，支持两路独立驱动或并联提升峰值电流。
封装：TSSOP-8（细间距，小体积，便于高密度布局）
通道：2 路独立输出，可同相并联
定位：同步降压、半桥前级驱动、功率模块驱动缓冲
典型应用：服务器/通信电源、工业电源、氮化镓电源、马达驱动前级、DC-DC 模块
关键特性（摘要）
约 4.5–20 V（适配常见 10–12 V 栅极驱动轨）
峰值驱动电流：对称源/灌电流，适合较大栅电荷器件；两通道可并联提升峰值
低延时/好匹配：传播延时纳秒级，通道间偏差小，利于多相/并联一致性
输入兼容：TTL/CMOS 逻辑阈值，支持 3.3 V/5 V 驱动信号
保护与稳健性：欠压锁定（UVLO）、输入去抖/滞回，抗直通设计优化
开关整形：支持外置 R_g_on / R_g_off 分离，灵活平衡效率与 EMI
温度范围：工业级 -40\,^\circ\mathrm{C} 至 125\,^\circ\mathrm{C}
说明：数值以原厂数据手册为准，下述为工程选型视角的通用区间与用法要点。
：4.5–20 V；常用 10–12 V 驱动 Si MOSFET；配 GaN 需按器件限制设置
每通道峰值电流：安培级源/灌电流（对称），并联可进一步提升
输入阈值：TTL/CMOS 兼容，具噪声裕量与滞回
传播延时：几十纳秒量级；通道间偏差（skew）小
静态电流：低待机功耗，适合高效率待机/轻载场景
输出下拉能力：强下拉，利于快速关断与抑制米勒误触发
典型应用场景
同步降压（Buck）功率级：高边/低边 MOSFET 栅极驱动，配合数字/模拟 PWM 控制器
半桥前级/栅极缓冲：在隔离驱动前加一级推挽缓冲，缩短沿、降寄生影响
多相 VR/服务器电源：要求通道延时匹配与一致性，便于相间均流
，必要时串联/并联限压器件
栅极电阻：采用 R_g_on / R_g_off 分离配置
提升 R_g_on 可减小上升沿、降低尖峰与 EMI
提升 R_g_off 会减小下拉速度，不利于米勒抬升；优先保障强下拉
并联驱动：两通道并联时输入保持同相，输出并联走线短且对称，避免环路面积
去耦与回路：
VDD 至 GND：0.1 µF（高速） + 1 µF（能量）贴片陶瓷，就近直连
驱动回路 Gate–Source–GND 闭环最短，优先内层回流
布局与地：功率地与信号地单点汇接；输入引脚远离功率切换节点，减小串扰
EMI/振铃：必要时在栅极加小电感或 RC 缓冲，驱动地回路紧凑闭合
可靠性：关注 UVLO 阈值与系统上电顺序，避免线性区长时间停留
与相关器件的差异点（工程视角）
双通道独立/并联：较单通道驱动器更灵活，可做单桥臂双栅或一颗管的增强驱动
通道匹配与延时：适合多相并联/对称性要求较高的电源
强下拉：有利于高 dV/dt 环境抑制米勒效应，减少误导通
原理图连接要点（示意）
IN_A/IN_B 接主控 PWM 输出，必要时串联小阻值电阻抑制反射
OUT_A/OUT_B 通过 R_g_on / R_g_off 到 MOSFET Gate，近栅放置
VDD 旁路电容与芯片同侧同层紧邻放置，走线直达 GND
GND 优先使用大面积铜，保证低阻低感回路
订货与封装
型号：2EDN7424RXTMA1
封装：TSSOP-8
环保：RoHS/无铅
包装：卷带（适配贴片产线）
